سامسونج تطلق ثورة التخزين: إنتاج ضخم لشرائح QLC V-NAND بسعة 1 تيرابايت!
إطلاق شرائح QLC V-NAND بسعة 1 تيرابايت من سامسونج
أعلنت شركة سامسونج عن بدء مرحلة الإنتاج الضخم لشرائح الذاكرة المضغوطة من نوع QLC V-NAND، والتي تتميز بسعة تصل إلى 1 تيرابايت. هذا الإطلاق يمثل خطوة هامة نحو دعم تطبيقات الذكاء الاصطناعي المتطورة.
التطور في تقنيات V-NAND
تأتي هذه الشرائح ضمن الجيل التاسع من تكنولوجيا NAND، حيث قامت سامسونج في أبريل 2024 بإصدار النسخة الأولى من V-NAND بتقنية الخلايا الثلاثية، مما جعلها رائدة في هذا المجال. والآن، مع التحول إلى خلايا QLC رباعية، يمكن الوصول إلى سعات تخزينية أكبر تصل إلى 4 بت لكل خلية، مما يعزز من الكثافة التخزينية بشكل ملحوظ.
تحسين الأداء وكفاءة الطاقة
تترافق هذه التقنية الجديدة مع زيادة في سرعة القراءة والكتابة، فضلاً عن توفير كبير في استهلاك الطاقة. فمن المتوقع أن يتم تقليل استهلاك الطاقة أثناء عمليات القراءة بنسبة 30%، بينما ستصل هذه النسبة إلى 50% خلال الكتابة، مما يجعل هذه الشرائح مثالية للاستخدام في البيئات التي تتطلب كفاءة عالية.
البعد الاستراتيجي للإنتاج الضخم
خلال حديثه، أوضح “سونغ هوى هير”، نائب الرئيس التنفيذي ورئيس قسم منتجات الفلاش في سامسونج، أن توقيت بدء الإنتاج الضخم لهذه الشرائح جاء في ظل تطور كبير من تطبيقات الذكاء الاصطناعي، مما يوفر فرصًا كبيرة للنمو في هذا القطاع.
عرض بصري للمنتج الجديد
بهذا الابتكار التكنولوجي، تتجه سامسونج ببساطة نحو إعادة تعريف سعة التخزين وكفاءة الأداء، مما يفتح الأبواب أمام مستقبل مشرق يلبي احتياجات التكنولوجيا المتقدمة في عالمنا اليوم.
